据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
2026-02-27 00:00:00:0王欣悦3014245310http://paper.people.com.cn/rmrb/pc/content/202602/27/content_30142453.htmlhttp://paper.people.com.cn/rmrb/pad/content/202602/27/content_30142453.html11921 多措并举，从“一时火”到“一直火”（有所思）
Source: Computational Materials Science, Volume 267，详情可参考快连下载安装
Фото: Thaier Al-Sudani / Reuters，这一点在搜狗输入法2026中也有详细论述
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Израиль нанес удар по Ирану09:28